2 ssd в Беларуси

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND

1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/470 МБайт/с, случайный доступ: 97000/32000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/4800 МБайт/с

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Phison PS5012-E12, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/3000 МБайт/с

240 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 460/450 МБайт/с

960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/450 МБайт/с

256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с, случайный доступ: 90000/80000 IOps

4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, совместимость с PS5

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/430 МБайт/с, случайный доступ: 50000/50000 IOps

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/430 МБайт/с, случайный доступ: 50000/50000 IOps

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND

128 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с

500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/2700 МБайт/с

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3600/2800 МБайт/с

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/450 МБайт/с

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1650 МБайт/с, случайный доступ: 290000/260000 IOps

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/3900 МБайт/с, случайный доступ: 450000/900000 IOps, совместимость с PS5

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3600/2800 МБайт/с

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/4800 МБайт/с, случайный доступ: 620000/550000 IOps

120 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 МБайт/с, случайный доступ: 40000/40000 IOps

500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/2500 МБайт/с, случайный доступ: 450000/550000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер TenaFe TC2200, последовательный доступ: 4800/4600 МБайт/с, случайный доступ: 400000/530000 IOps

250 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3100/1400 МБайт/с, случайный доступ: 160000/120000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2130/1720 МБайт/с, случайный доступ: 250000/220000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3400/2900 МБайт/с, случайный доступ: 220000/160000 IOps

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с

128 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 510/440 МБайт/с

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps

4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/475 МБайт/с

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3300/2900 МБайт/с, случайный доступ: 320000/280000 IOps

500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер TenaFe TC2200, последовательный доступ: 4800/2700 МБайт/с, случайный доступ: 200000/440000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/1950 МБайт/с, случайный доступ: 130000/250000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5200 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/850000 IOps

960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 МБайт/с, случайный доступ: 98000/30000 IOps

240 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/380 МБайт/с, случайный доступ: 98000/15000 IOps

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/475 МБайт/с

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/2100 МБайт/с, случайный доступ: 150000/280000 IOps

960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с

128 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 970/650 МБайт/с, случайный доступ: 100000/130000 IOps