EBazar.by
Тип предложения
Категория: Компьютеры
M.2 2280 в Беларуси
Объявления обновляются ежедневно. Используйте фильтры для удобного поиска.
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5200 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/850000 IOps, совместимость с PS5
120 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 1800/1250 МБайт/с
128 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 1800/1250 МБайт/с
240 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 561/500 МБайт/с
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3),контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3210/1315 МБайт/с, случайный доступ: 205000/265000 IOps, DRAM-буфер
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, совместимость с PS5
512 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1300 МБайт/с, случайный доступ: 100000/273000 IOps
480 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1500/1100 МБайт/с
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1600 МБайт/с
128 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/600 МБайт/с
240 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2200/290 МБайт/с, случайный доступ: 111000/12000 IOps, DRAM-буфер
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/2100 МБайт/с, случайный доступ: 150000/280000 IOps, SLC-кэш
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/1000 МБайт/с, случайный доступ: 130000/220000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2130/1720 МБайт/с, случайный доступ: 250000/220000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/490 МБайт/с
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 600000/550000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1400 МБайт/с, случайный доступ: 220000/200000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 750000/750000 IOps, DRAM-буфер
512 ГБ, M.2, SATA 3.0 (NGFF), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 570/450 MBps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4,контроллер Western Digital, последовательный доступ: 3430/3000 МБайт/с, случайный доступ: 515000/560000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4,контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1600 МБайт/с
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4,контроллер Western Digital, последовательный доступ: 3400/3100 МБайт/с, случайный доступ: 550000/520000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 МБайт/с, случайный доступ: 400000/600000 IOps
240 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 520/495 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 95000/85000 IOps
256 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 561/500 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы TLC, последовательный доступ: 530/480 МБайт/с
256 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0,контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы TLC, последовательный доступ: 500/400 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/850000 IOps, SLC-кэш
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2262EN, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 МБайт/с, случайный доступ: 390000/380000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3200/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/450000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 95000/85000 IOps
1.024 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2460/2475 МБайт/с, случайный доступ: 400000/345000 IOps
500 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 95000/85000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы TLC, последовательный доступ: 530/430 МБайт/с