EBazar.by
Тип предложения
Категория: Компьютеры
Ssd 2280 в Беларуси
Объявления обновляются ежедневно. Используйте фильтры для удобного поиска.
512 ГБ, M.2, SATA 3.0 (NGFF), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 570/450 MBps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4,контроллер Western Digital, последовательный доступ: 3430/3000 МБайт/с, случайный доступ: 515000/560000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4,контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1600 МБайт/с
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4,контроллер Western Digital, последовательный доступ: 3400/3100 МБайт/с, случайный доступ: 550000/520000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 МБайт/с, случайный доступ: 400000/600000 IOps
240 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 520/495 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 95000/85000 IOps
256 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 561/500 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы TLC, последовательный доступ: 530/480 МБайт/с
256 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0,контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы TLC, последовательный доступ: 500/400 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/850000 IOps, SLC-кэш
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2262EN, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 МБайт/с, случайный доступ: 390000/380000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3200/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/450000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 95000/85000 IOps
1.024 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2460/2475 МБайт/с, случайный доступ: 400000/345000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 600000/600000 IOps
500 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 95000/85000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы TLC, последовательный доступ: 530/430 МБайт/с
128 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/300 МБайт/с
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND
128 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 510/440 МБайт/с
120 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 500/470 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 5000/4800 МБайт/с, случайный доступ: 620000/550000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2050/1790 МБайт/с
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/2500 МБайт/с, случайный доступ: 450000/550000 IOps
250 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Western Digital, последовательный доступ: 3100/1600 МБайт/с, случайный доступ: 220000/180000 IOps
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/1200 МБайт/с, случайный доступ: 210000/315000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 МБайт/с, случайный доступ: 400000/600000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6000 МБайт/с, случайный доступ: 900000/1000000 IOps, совместимость с PS5
250 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2900/1300 МБайт/с, случайный доступ: 230000/320000 IOps
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/2600 МБайт/с, случайный доступ: 400000/470000 IOps
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1300 МБайт/с, случайный доступ: 165000/265000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1500 МБайт/с, случайный доступ: 300000/420000 IOps
256 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1650 МБайт/с, случайный доступ: 290000/260000 IOps
8 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2508, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14900/13200 МБайт/с, случайный доступ: 2400000/2200000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Maxio MAP1602, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4850/4450 МБайт/с, совместимость с PS5
120 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/410 МБайт/с, случайный доступ: 60000/40000 IOps