EBazar.by
Тип предложения
Категория: Компьютеры
Ssd m.2 в Беларуси
Объявления обновляются ежедневно. Используйте фильтры для удобного поиска.
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/1500 MBps, случайный доступ: 220000/200000 IOps
128 ГБ, M.2, SATA 3.0,контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/347 MBps
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3),контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3210/1315 МБайт/с, случайный доступ: 205000/265000 IOps, DRAM-буфер
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, совместимость с PS5
512 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3),контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/2500 MBps, случайный доступ: 400000/550000 IOps
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1300 МБайт/с, случайный доступ: 100000/273000 IOps
480 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1500/1100 МБайт/с
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1600 МБайт/с
128 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/600 МБайт/с
240 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2200/290 МБайт/с, случайный доступ: 111000/12000 IOps, DRAM-буфер
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/2100 МБайт/с, случайный доступ: 150000/280000 IOps, SLC-кэш
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/1000 МБайт/с, случайный доступ: 130000/220000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2130/1720 МБайт/с, случайный доступ: 250000/220000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/490 МБайт/с
256 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3),контроллер Silicon Motion SMI2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1850/950 MBps, случайный доступ: 102000/230000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND
M.2, SATA 3.0,контроллер Silicon Motion SM2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 MBps, случайный доступ: 81000/80000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 600000/550000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4,контроллер SanDisk 20-82-007011, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3470/2600 MBps, случайный доступ: 420000/380000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1400 МБайт/с, случайный доступ: 220000/200000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 750000/750000 IOps, DRAM-буфер
256 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe),контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1900/1200 MBps, случайный доступ: 85000/130000 IOps
500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4,контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/4100 MBps, случайный доступ: 800000/570000 IOps, совместимость с PS5
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/410 MBps, случайный доступ: 85000/40000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1400 MBps, случайный доступ: 480000/42000 IOps
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4,контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5200 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
512 ГБ, M.2, SATA 3.0 (NGFF), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 570/450 MBps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4,контроллер Western Digital, последовательный доступ: 3430/3000 МБайт/с, случайный доступ: 515000/560000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4,контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5000 MBps, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, совместимость с PS5
M.2, SATA 3.0,контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 568/499 MBps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4,контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1600 МБайт/с
240 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/450 МБайт/с, случайный доступ: 76900/85000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4,контроллер Western Digital, последовательный доступ: 3430/2600 MBps, случайный доступ: 420000/380000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4,контроллер Western Digital, последовательный доступ: 3400/3100 МБайт/с, случайный доступ: 550000/520000 IOps