EBazar.by
Тип предложения
Категория: Все разделы
Dram буфер в Беларуси
Объявления обновляются ежедневно. Используйте фильтры для удобного поиска.
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3),контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3210/1315 МБайт/с, случайный доступ: 205000/265000 IOps, DRAM-буфер
240 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2200/290 МБайт/с, случайный доступ: 111000/12000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 750000/750000 IOps, DRAM-буфер
8 ТБ, 2.5", SATA 3.0,контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
250 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0,контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер