EBazar.by
Тип предложения
Категория: Все разделы
Goodram в Беларуси
Объявления обновляются ежедневно. Используйте фильтры для удобного поиска.
128 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/460 МБайт/с
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 2000/1600 МБайт/с
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1600 МБайт/с, случайный доступ: 173000/140000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/3200 МБайт/с
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 4700/1700 МБайт/с
250 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 3200/1700 МБайт/с
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
![Оперативная память GOODRAM 8GB DDR4 PC4-19200 [GR2400D464L17S/8G]](https://ebazar.by/img/13843/15139499/max/max_77085476468d88c7c2bc145.67921648.jpg)
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/480 МБайт/с, случайный доступ: 65000/61440 IOps
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/460 МБайт/с
240 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/400 МБайт/с
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с, случайный доступ: 75500/76800 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 7400/6500 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/820000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2050/1650 МБайт/с, случайный доступ: 240000/280000 IOps
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1850/950 МБайт/с, случайный доступ: 102000/230000 IOps
16 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-40-40-80, напряжение 1.45 В
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-38-38-96, напряжение 1.35 В
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-102, напряжение 1.35 В
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 7400/6500 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/820000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 7400/6500 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-76, напряжение 1.25 В
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В