M.2 в Беларуси

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер TenaFe TC2200, последовательный доступ: 4800/4600 МБайт/с, случайный доступ: 400000/530000 IOps

250 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3100/1400 МБайт/с, случайный доступ: 160000/120000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2130/1720 МБайт/с, случайный доступ: 250000/220000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3400/2900 МБайт/с, случайный доступ: 220000/160000 IOps

128 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 510/440 МБайт/с

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3300/2900 МБайт/с, случайный доступ: 320000/280000 IOps

500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер TenaFe TC2200, последовательный доступ: 4800/2700 МБайт/с, случайный доступ: 200000/440000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/1950 МБайт/с, случайный доступ: 130000/250000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5200 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/850000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/2100 МБайт/с, случайный доступ: 150000/280000 IOps

128 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 970/650 МБайт/с, случайный доступ: 100000/130000 IOps

512 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/490 МБайт/с

256 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/490 МБайт/с

250 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2900/1300 МБайт/с, случайный доступ: 230000/320000 IOps

1.92 ТБ, M.2 22110, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 6800/4000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/180000 IOps

960 ГБ, M.2 22110, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 6800/4000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/180000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 7200/5500 МБайт/с, случайный доступ: 740000/740000 IOps

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/1000 МБайт/с, случайный доступ: 130000/220000 IOps

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2040/1270 МБайт/с, случайный доступ: 150000/180000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, совместимость с PS5

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 600000/600000 IOps

512 ГБ, M.2 2242, PCI Express 3.0 x2, последовательный доступ: 1650/1500 МБайт/с, случайный доступ: 180000/200000 IOps

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1300 МБайт/с

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/850000 IOps

1 ТБ, M.2 2242, PCI Express 3.0 x2, последовательный доступ: 1650/1500 МБайт/с, случайный доступ: 220000/220000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, совместимость с PS5

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2400/1900 МБайт/с, случайный доступ: 76400/96200 IOps

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2465/2410 МБайт/с, случайный доступ: 220000/380000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с

500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 2300/1500 МБайт/с, случайный доступ: 60000/240000 IOps

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3230/1240 МБайт/с, случайный доступ: 195000/210000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 2400/1800 МБайт/с, случайный доступ: 130000/350000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2130/1720 МБайт/с

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 670000/670000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 2100/1500 МБайт/с, случайный доступ: 300000/420000 IOps

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/1200 МБайт/с, случайный доступ: 210000/315000 IOps