EBazar.by
Тип предложения
Категория: Все разделы
Nvme 1.3 в Беларуси
Объявления обновляются ежедневно. Используйте фильтры для удобного поиска.
128 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 1600/1000 МБайт/с
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3200/1300 МБайт/с
128 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/600 MBps
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1300 МБайт/с, случайный доступ: 165000/265000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1400 MBps, случайный доступ: 220000/200000 IOps
250 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/1400 MBps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/2200 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/2200 МБайт/с
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3100/2100 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 MBps, случайный доступ: 500000/480000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 2000/1500 MBps, случайный доступ: 170000/250000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/1500 MBps, случайный доступ: 220000/200000 IOps
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3),контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3210/1315 МБайт/с, случайный доступ: 205000/265000 IOps, DRAM-буфер
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3),контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/2500 MBps, случайный доступ: 400000/550000 IOps
128 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/600 МБайт/с
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1400 МБайт/с, случайный доступ: 220000/200000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 750000/750000 IOps, DRAM-буфер
240 ГБ, 2.5", PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 1700/1000 MBps, случайный доступ: 280000/250000 IOps
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1300 МБайт/с, случайный доступ: 165000/265000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1500 МБайт/с, случайный доступ: 300000/420000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3),контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1600/600 MBps, случайный доступ: 290000/150000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3),контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1200 MBps, случайный доступ: 290000/260000 IOps