Pci express 3.0 в Беларуси

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3300/1400 МБайт/с

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3300/1400 МБайт/с

128 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 1600/1000 МБайт/с

M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1600/600 MBps, случайный доступ: 290000/150000 IOps

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1100 МБайт/с, случайный доступ: 290000/260000 IOps

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3200/1300 МБайт/с

128 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/600 MBps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1650 МБайт/с, случайный доступ: 290000/260000 IOps

PCI Express 3.0 x8, 25 Гбит/с, BootROM, WoL

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с

250 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 2100/1100 МБайт/с

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с

1 ТБ, M.2 2230, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 2000/1650 МБайт/с, случайный доступ: 120000/280000 IOps

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/1200 МБайт/с

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 2200/1200 МБайт/с

240 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1500/900 МБайт/с

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/1000 МБайт/с, случайный доступ: 130000/220000 IOps

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1300 МБайт/с, случайный доступ: 165000/265000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1400 MBps, случайный доступ: 220000/200000 IOps

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 2100/1500 МБайт/с, случайный доступ: 300000/420000 IOps

250 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/1400 MBps

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/2200 МБайт/с

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3400/3000 МБайт/с, случайный доступ: 151200/90600 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/2200 МБайт/с

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 MBps, случайный доступ: 500000/480000 IOps

2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 7000/3800 MBps, случайный доступ: 1500000/135000 IOps

1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 2000/1500 MBps, случайный доступ: 170000/250000 IOps

3.84 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 7000/3800 МБайт/с, случайный доступ: 1500000/135000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3),контроллер Phison PS5012-E12, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/1050 MBps, случайный доступ: 180000/260000 IOps

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3),контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3210/1315 МБайт/с, случайный доступ: 205000/265000 IOps, DRAM-буфер

M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3),контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/2500 MBps, случайный доступ: 400000/550000 IOps

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1300 МБайт/с, случайный доступ: 100000/273000 IOps

480 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1500/1100 МБайт/с

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1600 МБайт/с

128 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/600 МБайт/с

240 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2200/290 МБайт/с, случайный доступ: 111000/12000 IOps, DRAM-буфер

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/2100 МБайт/с, случайный доступ: 150000/280000 IOps, SLC-кэш

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/1000 МБайт/с, случайный доступ: 130000/220000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2130/1720 МБайт/с, случайный доступ: 250000/220000 IOps