EBazar.by
Тип предложения
Категория: Все разделы
Ssd 3.0 в Беларуси
Объявления обновляются ежедневно. Используйте фильтры для удобного поиска.
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/470 МБайт/с, случайный доступ: 97000/32000 IOps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND
2.5", SATA 3.0,контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 535/465 MBps
256 ГБ, M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 MBps, случайный доступ: 59000/73000 IOps
2.5", SATA 3.0,контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 90000/80000 IOps
480 ГБ, M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 555/480 MBps, случайный доступ: 91000/18000 IOps
128 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 МБайт/с, случайный доступ: 38000/75000 IOps
128 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 МБайт/с, случайный доступ: 38000/75000 IOps
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 МБайт/с, случайный доступ: 87000/80000 IOps
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/460 МБайт/с
2.5", SATA 3.0,контроллер Samsung MJX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 97000/42000 IOps
256 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3230/1240 MBps, случайный доступ: 195000/210000 IOps
3.84 ТБ, M.2 22110, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5500/2000 МБайт/с, случайный доступ: 800000/85000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/470 MBps, случайный доступ: 97000/32000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 MBps, случайный доступ: 90000/43000 IOps
256 ГБ, M.2 2242, PCI Express 3.0 x2 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/670 МБайт/с
512 ГБ, M.2 2242, PCI Express 3.0 x2 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1000/1100 МБайт/с
1.92 ТБ, M.2 22110, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1550 МБайт/с, случайный доступ: 395000/55000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с
500 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 95000/85000 IOps
128 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/300 МБайт/с
120 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 500/470 МБайт/с
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND
250 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 555/440 MBps, случайный доступ: 80000/78000 IOps
250 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Western Digital, последовательный доступ: 3100/1600 МБайт/с, случайный доступ: 220000/180000 IOps
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/1200 МБайт/с, случайный доступ: 210000/315000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 МБайт/с, случайный доступ: 400000/600000 IOps
250 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 450/320 МБайт/с, случайный доступ: 40000/40000 IOps
250 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2900/1300 МБайт/с, случайный доступ: 230000/320000 IOps
240 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 МБайт/с, случайный доступ: 38000/75000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/480 MBps, случайный доступ: 64000/72000 IOps
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 МБайт/с, случайный доступ: 87000/80000 IOps
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/2600 МБайт/с, случайный доступ: 400000/470000 IOps
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 МБайт/с, случайный доступ: 81000/74000 IOps
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 МБайт/с, случайный доступ: 40000/40000 IOps
120 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 МБайт/с, случайный доступ: 40000/40000 IOps
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 МБайт/с, случайный доступ: 87000/80000 IOps
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1300 МБайт/с, случайный доступ: 165000/265000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1500 МБайт/с, случайный доступ: 300000/420000 IOps