SSD Samsung 9100 Pro 4TB MZ-VAP4T0BW

Характеристики
- Производитель
- Samsung
- Дата выхода на рынок
- 2025
- Объём
- 4 ТБ
- Форм-фактор
- M.2
- Интерфейс
- PCI Express 5.0 x4
- Тип микросхем Flash
- 3D TLC NAND
- Ресурс записи (TBW)
- 2400
- Аппаратное шифрование
- AES 256bit
- Скорость последовательного чтения (МБ/с)
- 14800
- Скорость последовательной записи (МБ/с)
- 13400
- Средняя скорость случайного чтения
- 2200000
- Средняя скорость случайной записи
- 2600000
- Охлаждение
- Подсветка
- Контроллер
- Samsung Presto S4LY027
- Толщина
- 2.38
- Энергопотребление (чтение/запись)
- 9
- Энергопотребление (ожидание)
- 6.5
- Размеры устройств M.2
- 2280
- DRAM-буфер
- Совместимость с PS5
Еще объявления продавца

4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2508, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14800/14000 МБайт/с, случайный доступ: 2200000/2200000 IOps, совместимость с PS5

4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), последовательный доступ: 12400/11800 МБайт/с

4 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/7000 MBps, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, совместимость с PS5

4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
EBazar.by











